РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ ОТЕЧЕСТВЕННОГО ПРОИЗВОДСТВА
ООО "Радио-Комплект"
Радиоэлектронные компоненты

 
Заказ: Просмотр корзины
 

В связи с праздничными днями ближайшая отгрузка 02.05.2024г.. 03.05.2024г. - рабочий день.

С 04.05.2024г. по 12.05.2024г. нерабочие дни.

Начало работы 13.05.2024г.

Следующая отгрузка 20.05.2024г.


Прайс лист
Обновление прайс-листа 27.03.2024г.

download ПРАЙС XLSX(zip) excel


Дежурный по сайту
icq 463588205

Каталог
- Автоматы
- Выключатели
- Динисторы
- Диоды
- Дроссели
- Заглушки для разъемов
- Импорт
- Индикаторы
- Коммутация
- Конденсаторы
- Ламповые панели
- Лампы
- Микросхемы
- Модули
- Оптроны
- Охладители
- Паяльное оборудование
- Предохранители
- Припой
- Провод
- Прочее
- Разъемы
- Резисторы
- Реле
- Светодиоды
- Стабилитроны
- Тиристоры
- Транзисторы
- Трансформаторы
- Шунты
- Щитовые приборы
- Весь ассортимент
- Все фото компонентов


cat_link   Каталог ссылок  



џндекс.Њетрика

Вернуться ...

Справочник по параметрам транзисторов



 
В базе найдена характеристика на 1450 транзистор.
Страницы : [ 1 ]  [ 2 ]  [ 3 ]  [ 4 ]  [ 5 ]  [ 6 ]  [ 7 ]  [ 8 ]  [ 9 ]  [ 10 ]  [ 11 ]  [ 12 ]  [ 13 ]  [ 14 ] [ 15 ]  [ 16 ]  [ 17 ]  [ 18 ]  [ 19 ]  [ 20 ]  [ 21 ]  [ 22 ]  [ 23 ]  [ 24 ]  [ 25 ]  [ 26 ]  [ 27 ]  [ 28 ]  [ 29 ] [ 30 ] 

Буквенные обозначения параметров полупроводников

Подбор компонентов по параметрам

Укажите параметры для подбора компонентов:  
Структура =  
Pк max, Pк* т max, Pк** и max, мВт =  
fгр, f* h21б, f** h21э, f*** max,МГц =  
UКБО max, U* КЭR max, U** КЭО max, В =  
UЭБО max, В =  
IК max, I* К,и max, мА =  
IКБО, I* КЭR, I** КЭО, мкА =  
h21э, h21Э* =  
Cк, C12э*, пФ =  
rКЭ нас, Ом rБЭ* нас, Ом Kу,р*, дБ =  
Kш, дБ rб*, Ом Pвых*, Вт =  
tau к, пс tрас*, нс tвыкл**, нс =  
 


Тип прибора Структура Pк max, Pк* т max, Pк** и max, мВт fгр, f* h21б, f** h21э, f*** max,МГц UКБО max, U* КЭR max, U** КЭО max, В UЭБО max, В IК max, I* К,и max, мА IКБО, I* КЭR, I** КЭО, мкА h21э, h21Э* Cк, C12э*, пФ rКЭ нас, Ом rБЭ* нас, Ом Kу,р*, дБ Kш, дБ rб*, Ом Pвых*, Вт tau к, пс tрас*, нс tвыкл**, нс Корпус
КТ626А p-n-p 6,5 Вт (60°С) >=75 45 4 500 (1500*) <=10 (30 В) 40...260* (2 В; 0,15 А) <=150 (10 В) <=2 - <=500
КТ626Б p-n-p 6,5 Вт (60°С) >=75 60 4 500 (1500*) <=150 (30 В) 30...100* (2 В; 0,15 А) <=150 (10 В) <=2 - <=500
КТ626В p-n-p 6,5 Вт (60°С) >=45 80 4 500 (1500*) <=1 мА (80 В) 15...45* (2 В; 0,15 А) <=150 (10 В) <=2 - <=500
КТ626Г p-n-p 6,5 Вт (60°С) >=45 20* (0,1 к) 4 0,5 (1,5*) А <=150 (20 В) 15...60* (2 В; 0,15 А) <=150 (10 В) <=2 - <=500
КТ626Д p-n-p 6,5 Вт (60°С) >=45 20* (0,1 к) 4 0,5 (1,5*) А <=150 (20 В) 40...250* (2 В; 0,15 А) <=150 (10 В) <=2 - <=500
КТ629А-2 p-n-p 1 Вт (80°С) >=250 50 4,5 1000 <=5 (50 В) 25...150* (5 В; 0,5 А) <=25 (10 В) <=2 - 90*
КТ629Б-2 p-n-p 1 Вт (80°С) >=250 50 4,5 1000 <=5 (50 В) 25...150* (5 В; 0,2 А) <=25 (10 В) <=2 - -
КТ629БМ-2 p-n-p 1 Вт >=250 50* (1к) 4,5 1000 <=5 (50 В) 25...150* (1,2 В; 0,5 А) <=25 (10 В) <=2 - 90*
КТ630А n-p-n 0,8 Вт >=50 120 7 1000 (2000*) <=1 (90 В) 40...120* (10 В; 150 мА) <=15 (10 В) <=2 >=5* <=500**
КТ630Б n-p-n 0,8 Вт >=50 120 7 1000 (2000*) <=1 (90 В) 80...240* (10 В; 150 мА) <=15 (10 В) <=2 >=5* <=500**
КТ630В n-p-n 0,8 Вт >=50 150 7 1000 (2000*) <=1 (90 В) 40...120* (10 В; 150 мА) <=15 (10 В) <=2 >=5* <=500**
КТ630Г n-p-n 0,8 Вт >=50 100 5 1000 (2000*) <=1 (40 В) 40...120* (10 В; 150 мА) <=15 (10 В) <=2 >=5* <=500**
КТ630Д n-p-n 0,8 Вт >=50 60 5 1000 (2000*) <=1 (40 В) 80...240* (10 В; 150 мА) <=15 (10 В) <=2 >=5* <=500**
КТ630Е n-p-n 0,8 Вт >=50 60 5 1000 (2000*) <=1 (40 В) 160...480* (10 В; 150 мА) <=15 (10 В) <=2 >=5* <=500**
КТ630А-5 n-p-n 800 >=50 120 7 1 А (2* А) <=100 (120 В) 40...120 (10 В; 0,1 А) <=15 (10 В) <=3,3 - -
КТ630Б-5 n-p-n 800 >=50 120 7 1 А (2* А) <=100 (120 В) 80...240 (10 В; 0,1 А) <=15 (10 В) <=3,3 - -
КТ630В-5 n-p-n 800 >=50 150 7 1 А (2* А) <=100 (120 В) 40...120 (10 В; 0,1 А) <=15 (10 В) <=3,3 - -
КТ630Г-5 n-p-n 800 >=50 100 5 1 А (2* А) <=100 (100 В) 40...120 (10 В; 0,1 А) <=15 (10 В) <=3,3 - -
КТ632Б p-n-p 0,5 Вт (45°С) >=200 120* (1к) 5 100 (350*) <=1 (120 В) >=50 (1 В; 1 мА) <=5 (20 В) <=25 - <=100
КТ632Б-1 p-n-p 350 (40°С) >=200 120* (1к) 5 100 (350*) <=1 (120 В) 50...350 (1 В; 1 мА) <=5 (20 В) <=25 - <=100
КТ632В-1 p-n-p 350 (40°С) >=200 120* (1к) 5 100 (350*) <=1 (120 В) 150...450 (10 В; 1 мА) <=5 (20 В) <=25 - 2000*
КТ633А n-p-n 1,2 Вт >=500 30 4,5 200 (500*) <=10 (30 В) 40...140 (1 В; 10 мА) <=4,5 (10 В) <=5 <=6 (20 мГц) <=30*
КТ633Б n-p-n 1,2 Вт >=500 30 4,5 200 (500*) <=10 (30 В) 20...160 (1 В; 10 мА) <=4,5 (10 В) <=5 <=6 (20 мГц) <=30*
КТ634А-2 n-p-n 1,2 Вт >=1500 30 3 150 (250*) <=0,5 мА (30 В) - <=2,5 (15 В) >=l,4** (5 ГГц) >=0,2** (5 ГГц) <=2
КТ634Б-2 n-p-n 1,3 Вт >=1500 30 3 150 (250*) <=1 мА (30 В) - <=3 (15 В) >=1,4** (5 ГГц) >=0,45** (5 ГГц) <=3,5
КТ635А n-p-n 0,5 Вт >=200 60 5 1 (1,2*) А <=30 (60 В) 25...150* (1 В; 0,5 А) <=15 (10 В) <=1 - <=58; <=60**
КТ635Б n-p-n 0,5 Вт >=250 60 5 1 (1,2*) А <=30 (60 В) 20...150* (1 В; 0,5 А) <=10 (10 В) <=1 - <=58; <=60**
КТ637А-2 n-p-n 1,5 Вт >=1300 30 2,5 200 (300*) <=0,1 мА (30 В) 30...140* (5 В; 50 мА) <=4,5 (15 В) - >=0,5** (3 ГГц) <=3
КТ637Б-2 n-p-n 1,5 Вт >=800 30 2,5 200 (300*) <=2 мА (30 В) 30...140* (5 В, 50 мА) <=4,5 (15 В) - >=0,25** (3 ГГц) <=15
КТ638А n-p-n 500 >=200 110 5 100 (350*) <=0,1 мА (110 В) 50...350 (1 В; 10 мА) <=8 (20 В) <=25 - <=25 (1* мкс)
КТ639А p-n-p 1 (12,5*) Вт >=80 45 5 1,5 А (2* А) <=0,1 (30 В) 40...100* (2 В; 0,15 А) <=50 (10 В) <=1 - <=200*
КТ639Б p-n-p 1 (12,5*) Вт >=80 45 5 1,5 А (2* А) <=0,1 (30 В) 63...160* (2 В; 0,15 А) <=50 (10 В) <=1 - <=200*
КТ639В p-n-p 1 (12,5*) Вт >=80 45 5 1,5 А (2* А) <=0,1 (30 В) 100...250* (2 В; 0,15 А) <=50 (10 В) <=1 - <=200*
КТ639Г p-n-p 1 (12,5*) Вт >=80 60 5 1,5 А (2* А) <=0,1 (30 В) 40...100* (2 В; 0,15 А) <=50 (10 В) <=1 - <=200*
КТ639Д p-n-p 1 (12,5*) Вт >=80 60 5 1,5 А (2* А) <=0,1 (30 В) 63...160* (2 В; 0,15 А) <=50 (10 В) <=1 - <=200*
КТ639Е p-n-p 1 Вт (35°С) >=80 100 5 1,5 А (2* А) <=0,1 (30 В) 40...100* (2 В; 0,15 А) <=50 (10 В) <=1 - <=200*
КТ639Ж p-n-p 1 Вт (35°С) >=80 100 5 1,5 А (2* А) <=0,1 (30 В) 60...100* (2 В; 0,15 А) <=50 (10 В) <=1 - <=200*
КТ639И p-n-p 1 Вт (35°С) >=80 30 5 1,5 А (2* А) <=0,1 (30 В) 180...400* (2 В; 0,15 А) <=50 (10 В) <=1 - <=200*
КТ639А-1 p-n-p 500 (30** Вт) >=80 45 5 1,5 А (2* А) <=0,1 (30 В) 40...100 (2 В; 0,15 А) <=50 (10 В) <=1 - <=200*
КТ639Б-1 p-n-p 500 (30** Вт) >=80 45 5 1,5 А (2* А) <=0,1 (30 В) 40...160 (2 В; 0,15 А) <=50 (10 В) <=1 - <=200*
КТ639В-1 p-n-p 500 (30** Вт) >=80 45 5 1,5 А (2* А) <=0,1 (30 В) 90...160 (2 В; 0,15 А) <=50 (10 В) <=1 - <=200*
КТ639Г-1 p-n-p 500 (30** Вт) >=80 60 5 1,5 А (2* А) <=0,1 (30 В) 40...100 (2 В; 0,15 А) <=50 (10 В) <=1 - <=200*
КТ639Д-1 p-n-p 500 (30** Вт) >=80 60 5 1,5 А (2* А) <=0,1 (30 В) 63...160 (2 В; 0,15 А) <=50 (10 В) <=1 - <=200*
КТ639Е-1 p-n-p 500 (30** Вт) >=80 100* 5 1,5 А (2* А) <=0,1 (30 В) 40...100 (2 В; 0,15 А) <=0 (10 В) <=1 - <=200*
КТ639Ж-1 p-n-p 500 (30** Вт) >=80 100* 5 1,5 А (2* А) <=0,1 (30 В) 63...160 (2 В; 0,15 А) <=50 (10 В) <=1 - <=200*
КТ639И-1 p-n-p 500 (30** Вт) >=80 30 5 1,5 А (2* А) <=0,1 (30 В) 180...400 (2 В; 0,15 А) <=50 (10 В) <=1 - <=200*
КТ640А-2 n-p-n 0,6 Вт (60°С) >=3000 25 3 60 <=0,5 мА (25 В) >=15* (5 В; 5 мА) <=1,3 (15 В) >=6** (7 ГГц) >=0,1** (7 ГГц) 0,6
КТ640Б-2 n-p-n 0,6 Вт (60°С) >=3800 25 3 60 <=0,5 мА (25 В) >=15* (5 В; 5 мА) <=1,3 (15 В) >=6** (7 ГГц) >=0,1** (7 ГГц) 1
КТ640В-2 n-p-n 0,6 Вт (60°С) >=3800 25 3 60 <=0,5 мА (25 В) >=15* (5 В; 5 мА) <=1,3 (15 В) >=6** (7 ГГц) >=0,08** (7 ГГц) 1
КТ642А-2 n-p-n 500 - 20 2 60 <=1 мА (20 В) - <=1,1 (15 В) >=3,5** (8 ГГц) >=0,1** (8 ГГц) -
КТ642А-5 n-p-n 500 - 20 2 60 <=1 мА (20 В) - <=1,1 (15 В) >=3,5** (8 ГГц) >=0,1** (8 ГГц) -

Страницы : [ 1 ]  [ 2 ]  [ 3 ]  [ 4 ]  [ 5 ]  [ 6 ]  [ 7 ]  [ 8 ]  [ 9 ]  [ 10 ]  [ 11 ]  [ 12 ]  [ 13 ]  [ 14 ] [ 15 ]  [ 16 ]  [ 17 ]  [ 18 ]  [ 19 ]  [ 20 ]  [ 21 ]  [ 22 ]  [ 23 ]  [ 24 ]  [ 25 ]  [ 26 ]  [ 27 ]  [ 28 ]  [ 29 ] [ 30 ] 
 
РФ, 300013, г. Тула, ул. Болдина, дом 47, оф. 21, 22
тел. +7(910)1-665-665, +7(4872)790-963, +7(963)228-95-59, +7(920)7-963-963
Copyright © 2005 ООО Радио-Комплект   admin